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ECH8419
IDP=40A (PW ≤ 10 μ s)
3 10
1m μ s
0
ID=9A
s
10
ms
10
DC
3 0m
op
s
era
n(
Ta
25
° C
Operation in this
Ta=25 ° C
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
5 7 0.1
5 7 1.0
5 7 10
0.01
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
VDS=20V
ID=9A
2 4
6
VGS -- Qg
8 10 12
14
16
18
20
100
7
5
2
10
7
5
2
7
5 =
3
7
5
3
0.01
ASO
1.0 tio
0.1 area is limited by RDS(on).
2 Single pulse
2 3 2 3 2 3 2 3
2 )
5 7 100
2.0
1.8
Total Gate Charge, Qg -- nC IT16146
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16147
1.6
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16148
No. A1886-4/7
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